Contacts:

Автор курса "Электронно-микроскопические и дифракционные методы анализа материалов" - к. ф.-м. н., доцент Скакова Татьяна Юрьевна 

В курсе  изложены основные  методы электронно-микроскопического и рентгеноструктурного анализа материалов. Описаны методики изучения дефектов кристаллического строения и фазового анализа. Курс предназначен для  магистров и изучается в третьем семестре.

Курс разработан в полном соответствии с Рабочей программой дисциплины "Электронно-микроскопические и дифракционные методы анализа материалов" для направления подготовки  22.04.01 Материаловедение и технология материалов по профилю подготовки «Многофункциональные материалы». В процессе освоения курса реализуются цели  курса: – формирование знаний о современных рентгенографических и электронно-микроскопических методах структурного анализа материалов для решения материаловедческих задач; и задачи курса – освоение методик структурного анализа материалов с применением методов рентгенографии и электронной микроскопии и основ анализа экспериментальных данных, полученных методами рентгенографии и электронной микроскопии, а также магистранты приобретают следующие компетенции: 

ПК-5 Способность определять соответствие готового изделия заявленным потребительским характеристикам; прогнозировать и описать процесс достижения заданного уровня свойств в материале

ПК-6 Способностью организовать проведение анализа и анализировать структуру новых материалов, адаптировать методики    исследования свойств материалов к потребностям производства и разрабатывать специальные

  ПК-7 Способность выбирать метод научного исследования, исходя из конкретных задач, организовывать его осуществление анализировать результаты с использованием современных методов обработки данных, оформлять полученные результаты в виде отчета, научной публикации.
Курс включает темы:
Тема I Введение в электронно-микроскопические и дифракционные методы структурного анализа

               Л -2 часа, С- 4 часа

Тема II Растровая электронная микроскопия:

               Л- 8 часов, С – 12 часов

Тема III Просвечивающая электронная микроскопия: 

               Л -6 часа, С – 16 часов

Тема IV Рентгеноструктурный анализ:

               Л -2 часа, С – 4 часа